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이산 소자 반도체 제품
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
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부품 번호
제조업체 / 브랜드
간단한 설명
부품 상태
트랜지스터 유형
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
빈도 - 전환
잡음 지수 (dB Typ @ f)
이득
전력 - 최대
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)
작동 온도
실장 형
패키지 / 케이스
공급 업체 장치 패키지